atk:使用optimizedeviceconfiguration_study_object弛豫器件结构
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| atk:使用optimizedeviceconfiguration_study_object弛豫器件结构 [2019/11/26 21:59] – [附录] xie.congwei | atk:使用optimizedeviceconfiguration_study_object弛豫器件结构 [2019/11/26 22:01] (当前版本) – [参考] xie.congwei | ||
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| 我们在这里展示了一个应变对半导体电极电子结构影响的示例。下图显示了Si（100）电极的能带结构，其在与（100）结晶方向一致的 c 轴上有 ± 1% 的应变。通过仔细观察，可以看到导带和价带能发生了轻微的偏移。 | 我们在这里展示了一个应变对半导体电极电子结构影响的示例。下图显示了Si（100）电极的能带结构，其在与（100）结晶方向一致的 c 轴上有 ± 1% 的应变。通过仔细观察，可以看到导带和价带能发生了轻微的偏移。 | ||
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| 下图显示了沿 C 轴（右图）方向上拉伸 Si（100） 电极时，DFT-PBE 价带最大值（VBM）和导带最小值（CBM）的变化，以及硅基带隙是如何因此变化（左图）的。 | 下图显示了沿 C 轴（右图）方向上拉伸 Si（100） 电极时，DFT-PBE 价带最大值（VBM）和导带最小值（CBM）的变化，以及硅基带隙是如何因此变化（左图）的。 | ||
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atk/使用optimizedeviceconfiguration_study_object弛豫器件结构.1574776795.txt.gz · 最后更改: 2019/11/26 21:59 由 xie.congwei