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--- atk:dft-1:2和dft-pps密度泛函方法计算电子态 [2020/06/01 21:18] – [Si、SiGe、Ge 的带隙和晶格常数] xie.congwei
+++ atk:dft-1:2和dft-pps密度泛函方法计算电子态 [2021/12/06 15:57] (当前版本) – [DFT-12 和 DFT-PPS 密度泛函方法计算电子态] fermi
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-====== DFT-12 和 DFT-PPS 密度泛函方法计算电子态 ======
+====== DFT-1/2 和 DFT-PPS 密度泛函方法计算电子态 ======
 **版本：**2017.0
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 ==== 手动设置 DFT-PPS 参数 ====
+当然，也可以手动设置 DFT-PPS 投影偏移参数，而不使用默认值。对于没有默认 DFT-PPS 参数（仅 Si 和 Ge 当前具有默认值）的元素，这将在 DFT-PPS 计算中特别有用。
+''PseudoPotentialProjectorShift'' 类的一个实例提供投影偏移，然后将其作为 SG15 基组的参数。例如，以下脚本手动地将 Si 和 Ge 的 DFT-PPS 参数设置为默认：
+<code python>
+#----------------------------------------
+# Basis Set
+#----------------------------------------
+# Basis set for Silicon
+SiliconBasis_projector_shift = PseudoPotentialProjectorShift(
+    s_orbital_shift=21.33*eV,
+    p_orbital_shift=-1.43*eV,
+    d_orbital_shift=0.0*eV,
+    f_orbital_shift=0.0*eV,
+    g_orbital_shift=0.0*eV
+    )
+SiliconBasis = BasisGGASG15.Silicon_Medium(projector_shift=SiliconBasis_projector_shift)
+# Basis set for Germanium
+GermaniumBasis_projector_shift = PseudoPotentialProjectorShift(
+    s_orbital_shift=13.79*eV,
+    p_orbital_shift=0.22*eV,
+    d_orbital_shift=-2.03*eV,
+    f_orbital_shift=0.0*eV,
+    g_orbital_shift=0.0*eV
+    )
+GermaniumBasis = BasisGGASG15.Germanium_High(projector_shift=GermaniumBasis_projector_shift)
+# Total basis set
+basis_set = [
+    SiliconBasis,
+    GermaniumBasis,
+    ]
+</code>
+<WRAP center alert 100%>
+=== 警告 ===
+选择适当的 DFT-PPS 参数可能是一件非常微妙的事情，并且通常需要数值优化程序。[[https://docs.scipy.org/doc/scipy/reference/optimize.html|SciPy]] 软件可以提供许多此类例程，但是，如果您选择使用非默认 DFT-PPS 参数，则这些参数的质量完全由用户自己承担！
+QuantumWise 不支持优化 DFT-PPS 参数。如果有默认参数的，我们通常建议用户使用默认值。
+</WRAP>
-===== 参数 =====
+===== 参考 =====
+  * 英文原文：https://docs.quantumatk.com/tutorials/dft_half_pps/dft_half_pps.html
+  * [FMT08]	Luiz G. Ferreira, Marcelo Marques, and Lara K. Teles. Approximation to density functional theory for the calculation of band gaps of semiconductors. //Phys. Rev. B//, 78:125116, Sep 2008. [[http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.78.125116|doi:10.1103/PhysRevB.78.125116]].
+  * [FMT11]	(1, 2) Luiz G. Ferreira, Marcelo Marques, and Lara K. Teles. Slater half-occupation technique revisited: the LDA-1/2 and GGA-1/2 approaches for atomic ionization energies and band gaps in semiconductors. //AIP Adv//., 1(3):032119, 2011. [[https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.3624562|doi:10.1063/1.3624562]].
+  * [LRS96]	(1, 2, 3) M. Levinshtein, S. Rumyantsev, and M. Shur, editors. //Handbook Series on Semiconductor Parameters//. volume 1. World Scientific Publishing Cp. Pte. Ltd., Singapore, 1996.
+  * [WZ95]	L.-W. Wang and A. Zunger. Local-density-derived semiempirical pseudopotentials. //Phys. Rev. B//, 51:17398–17416, 1995. [[http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.51.17398|doi:10.1103/PhysRevB.51.17398]].

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