atk:生成能
差别
这里会显示出您选择的修订版和当前版本之间的差别。
| 两侧同时换到之前的修订记录前一修订版后一修订版 | 前一修订版上一修订版两侧同时换到之后的修订记录 | ||
| atk:生成能 [2016/08/11 16:07] – [GaAs 中的 Ga 空位] dong.dong | atk:生成能 [2016/08/11 16:08] – [生成能（或者结合能）计算] dong.dong | ||
|---|---|---|---|
| 行 8: | 行 8: | ||
| 在 VNL-ATK 里面可以很方便的通过计算总能量得到体系的生成能（或结合能），具体的计算公式： | 在 VNL-ATK 里面可以很方便的通过计算总能量得到体系的生成能（或结合能），具体的计算公式： | ||
| - | (1) $E_{form}=E_{tot}–Σ_xE_{tot}(x)$ | + | (1) $E_\mathtt{form}=E_\mathtt{tot}–Σ_xE_\mathtt{tot}(x)$ |
| - | $E_{form}$ 表示将材料分解为各组分 $x$ 所需的能量。选择各自组分的参考体系的时候，尤其要注意：参考体系是气相还是块体材料。 | + | $E_\mathtt{form}$ 表示将材料分解为各组分 $x$ 所需的能量。选择各自组分的参考体系的时候，尤其要注意：参考体系是气相还是块体材料。 |
| <WRAP center important 100%> | <WRAP center important 100%> | ||
| 行 80: | 行 80: | ||
| <WRAP center important 100%> | <WRAP center important 100%> | ||
| - | 注意： | + | **注意：** |
| 除了检查常规的参数以确保得到收敛的结果之外，还需要注意晶格的大小，这与缺陷浓度直接相关。 | 除了检查常规的参数以确保得到收敛的结果之外，还需要注意晶格的大小，这与缺陷浓度直接相关。 | ||
atk/生成能.txt · 最后更改: 2018/03/20 22:21 由 liu.jun