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两侧同时换到之前的修订记录前一修订版后一修订版 | 前一修订版上一修订版两侧同时换到之后的修订记录 | ||
atk:生成能 [2016/08/11 16:06] – [MgO(100) 的表面 O 空位] dong.dong | atk:生成能 [2016/08/11 16:08] – [生成能(或者结合能)计算] dong.dong | ||
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行 8: | 行 8: | ||
在 VNL-ATK 里面可以很方便的通过计算总能量得到体系的生成能(或结合能),具体的计算公式: | 在 VNL-ATK 里面可以很方便的通过计算总能量得到体系的生成能(或结合能),具体的计算公式: | ||
- | (1) $E_{form}=E_{tot}–Σ_xE_{tot}(x)$ | + | (1) $E_\mathtt{form}=E_\mathtt{tot}–Σ_xE_\mathtt{tot}(x)$ |
- | $E_{form}$ 表示将材料分解为各组分 $x$ 所需的能量。选择各自组分的参考体系的时候,尤其要注意:参考体系是气相还是块体材料。 | + | $E_\mathtt{form}$ 表示将材料分解为各组分 $x$ 所需的能量。选择各自组分的参考体系的时候,尤其要注意:参考体系是气相还是块体材料。 |
<WRAP center important 100%> | <WRAP center important 100%> | ||
行 79: | 行 79: | ||
其中 $E_\mathtt{tot}^{\mathtt{Ga}_{1-x}\mathtt{As}}$ 表示包含 $x$ 个 Ga 空位的 GaAs 晶体的总能量,$E_\mathtt{tot}^\mathtt{GaAs}$ 表示完美 GaAs 晶体的总能量,$E_\mathtt{tot}^\mathtt{Ga}$ 表示 Ga 晶体的总能量。 | 其中 $E_\mathtt{tot}^{\mathtt{Ga}_{1-x}\mathtt{As}}$ 表示包含 $x$ 个 Ga 空位的 GaAs 晶体的总能量,$E_\mathtt{tot}^\mathtt{GaAs}$ 表示完美 GaAs 晶体的总能量,$E_\mathtt{tot}^\mathtt{Ga}$ 表示 Ga 晶体的总能量。 | ||
- | <WRAP center | + | <WRAP center |
- | 注意: | + | **注意:** |
除了检查常规的参数以确保得到收敛的结果之外,还需要注意晶格的大小,这与缺陷浓度直接相关。 | 除了检查常规的参数以确保得到收敛的结果之外,还需要注意晶格的大小,这与缺陷浓度直接相关。 | ||
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