atk:生成能
差别
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| 两侧同时换到之前的修订记录前一修订版后一修订版 | 前一修订版上一修订版两侧同时换到之后的修订记录 | ||
| atk:生成能 [2016/08/11 16:03] – [生成能（或者结合能）计算] dong.dong | atk:生成能 [2016/08/11 16:08] – [生成能（或者结合能）计算] dong.dong | ||
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| 行 8: | 行 8: | ||
| 在 VNL-ATK 里面可以很方便的通过计算总能量得到体系的生成能（或结合能），具体的计算公式： | 在 VNL-ATK 里面可以很方便的通过计算总能量得到体系的生成能（或结合能），具体的计算公式： | ||
| - | (1) $E_{form}=E_{tot}–Σ_xE_{tot}(x)$ | + | (1) $E_\mathtt{form}=E_\mathtt{tot}–Σ_xE_\mathtt{tot}(x)$ |
| - | $E_{form}$ 表示将材料分解为各组分 $x$ 所需的能量。选择各自组分的参考体系的时候，尤其要注意：参考体系是气相还是块体材料。 | + | $E_\mathtt{form}$ 表示将材料分解为各组分 $x$ 所需的能量。选择各自组分的参考体系的时候，尤其要注意：参考体系是气相还是块体材料。 |
| - | <WRAP center | + | <WRAP center |
| **注意**： | **注意**： | ||
| * $E_{form}$ 通过计算电子结构得到，没有考虑振动引起的热能和零点能； | * $E_{form}$ 通过计算电子结构得到，没有考虑振动引起的热能和零点能； | ||
| 行 75: | 行 75: | ||
| 考虑 GaAs 晶体的一个 Ga 空位。缺陷的形成能可以通过下式得到： | 考虑 GaAs 晶体的一个 Ga 空位。缺陷的形成能可以通过下式得到： | ||
| - | (2) $E_{form}=E_{tot}^{Ga_{1-x}As}–E_{tot}^{GaAs}+x⋅E_{tot}^{Ga}$ | + | (2) $E_\mathtt{form}=E_\mathtt{tot}^{\mathtt{Ga}_{1-x}\mathtt{As}}–E_\mathtt{tot}^\mathtt{GaAs}+x⋅E_\mathtt{tot}^\mathtt{Ga}$ |
| - | 其中 $E_{tot}^{Ga_{1-x}As}$ 表示包含 x 个 Ga 空位的 GaAs 晶体的总能量，$E_{tot}^{GaAs}$ 表示完美 GaAs 晶体的总能量，$E_{tot}^{Ga}$ 表示 Ga 晶体的总能量。 | + | 其中 $E_\mathtt{tot}^{\mathtt{Ga}_{1-x}\mathtt{As}}$ 表示包含 |
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| + | <WRAP center important 100%> | ||
| + | **注意：** | ||
| - | <WRAP center box 100%> | ||
| - | 注意： | ||
| 除了检查常规的参数以确保得到收敛的结果之外，还需要注意晶格的大小，这与缺陷浓度直接相关。 | 除了检查常规的参数以确保得到收敛的结果之外，还需要注意晶格的大小，这与缺陷浓度直接相关。 | ||
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| 行 97: | 行 98: | ||
| 根据选用的基组的不同，如上所述可能需要考虑 BSSE：本例中，将空位 Ga 原子改为 ghost，而不真正删除 Ga 原子，如此得到晶体的总能量，作为方程（2）的第一项即可。也就是上表中的 ATK-PBE - ghost atom 栏。 | 根据选用的基组的不同，如上所述可能需要考虑 BSSE：本例中，将空位 Ga 原子改为 ghost，而不真正删除 Ga 原子，如此得到晶体的总能量，作为方程（2）的第一项即可。也就是上表中的 ATK-PBE - ghost atom 栏。 | ||
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| + | ==== 参考与注释 ==== | ||
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atk/生成能.txt · 最后更改: 2018/03/20 22:21 由 liu.jun