这里会显示出您选择的修订版和当前版本之间的差别。
两侧同时换到之前的修订记录前一修订版后一修订版 | 前一修订版上一修订版两侧同时换到之后的修订记录 | ||
atk:生成能 [2016/08/11 16:03] – [结果] dong.dong | atk:生成能 [2016/08/11 16:08] – [生成能(或者结合能)计算] dong.dong | ||
---|---|---|---|
行 8: | 行 8: | ||
在 VNL-ATK 里面可以很方便的通过计算总能量得到体系的生成能(或结合能),具体的计算公式: | 在 VNL-ATK 里面可以很方便的通过计算总能量得到体系的生成能(或结合能),具体的计算公式: | ||
- | (1) $E_{form}=E_{tot}–Σ_xE_{tot}(x)$ | + | (1) $E_\mathtt{form}=E_\mathtt{tot}–Σ_xE_\mathtt{tot}(x)$ |
- | $E_{form}$ 表示将材料分解为各组分 $x$ 所需的能量。选择各自组分的参考体系的时候,尤其要注意:参考体系是气相还是块体材料。 | + | $E_\mathtt{form}$ 表示将材料分解为各组分 $x$ 所需的能量。选择各自组分的参考体系的时候,尤其要注意:参考体系是气相还是块体材料。 |
- | <WRAP center | + | <WRAP center |
**注意**: | **注意**: | ||
* $E_{form}$ 通过计算电子结构得到,没有考虑振动引起的热能和零点能; | * $E_{form}$ 通过计算电子结构得到,没有考虑振动引起的热能和零点能; | ||
行 24: | 行 24: | ||
{{ : | {{ : | ||
- | <WRAP center | + | <WRAP center |
**注意**: | **注意**: | ||
关于 ATK-DFT 和 ATK-Huckel 计算 {{: | 关于 ATK-DFT 和 ATK-Huckel 计算 {{: | ||
行 75: | 行 75: | ||
考虑 GaAs 晶体的一个 Ga 空位。缺陷的形成能可以通过下式得到: | 考虑 GaAs 晶体的一个 Ga 空位。缺陷的形成能可以通过下式得到: | ||
- | (2) $E_{form}=E_{tot}^{Ga_{1-x}As}–E_{tot}^{GaAs}+x⋅E_{tot}^{Ga}$ | + | (2) $E_\mathtt{form}=E_\mathtt{tot}^{\mathtt{Ga}_{1-x}\mathtt{As}}–E_\mathtt{tot}^\mathtt{GaAs}+x⋅E_\mathtt{tot}^\mathtt{Ga}$ |
- | 其中 $E_{tot}^{Ga_{1-x}As}$ 表示包含 x 个 Ga 空位的 GaAs 晶体的总能量,$E_{tot}^{GaAs}$ 表示完美 GaAs 晶体的总能量,$E_{tot}^{Ga}$ 表示 Ga 晶体的总能量。 | + | 其中 $E_\mathtt{tot}^{\mathtt{Ga}_{1-x}\mathtt{As}}$ 表示包含 |
+ | |||
+ | <WRAP center important 100%> | ||
+ | **注意:** | ||
- | <WRAP center box 100%> | ||
- | 注意: | ||
除了检查常规的参数以确保得到收敛的结果之外,还需要注意晶格的大小,这与缺陷浓度直接相关。 | 除了检查常规的参数以确保得到收敛的结果之外,还需要注意晶格的大小,这与缺陷浓度直接相关。 | ||
</ | </ | ||
行 97: | 行 98: | ||
根据选用的基组的不同,如上所述可能需要考虑 BSSE:本例中,将空位 Ga 原子改为 ghost,而不真正删除 Ga 原子,如此得到晶体的总能量,作为方程(2)的第一项即可。也就是上表中的 ATK-PBE - ghost atom 栏。 | 根据选用的基组的不同,如上所述可能需要考虑 BSSE:本例中,将空位 Ga 原子改为 ghost,而不真正删除 Ga 原子,如此得到晶体的总能量,作为方程(2)的第一项即可。也就是上表中的 ATK-PBE - ghost atom 栏。 | ||
+ | |||
+ | ==== 参考与注释 ==== | ||
+ |