这里会显示出您选择的修订版和当前版本之间的差别。
两侧同时换到之前的修订记录前一修订版后一修订版 | 前一修订版上一修订版两侧同时换到之后的修订记录 | ||
atk:拓扑绝缘体 [2016/12/14 12:46] – [结果] nie.han | atk:拓扑绝缘体 [2016/12/14 12:55] – [费米面和自旋方向] nie.han | ||
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行 127: | 行 127: | ||
您现在可以将平板构型送至Script Generator, | 您现在可以将平板构型送至Script Generator, | ||
* 您将不需要GGA能带结构分析。 | * 您将不需要GGA能带结构分析。 | ||
- | * 使用Bi2Se3_slab.nc 作为默认输出文件。 | + | * 使用'' |
* 使用一个9x9x1的k点网格(平板沿C方向不是周期的)。 | * 使用一个9x9x1的k点网格(平板沿C方向不是周期的)。 | ||
* 降低电子温度从300k到50k。这将改善接近费米能级的电子占据的DFT描述。 | * 降低电子温度从300k到50k。这将改善接近费米能级的电子占据的DFT描述。 | ||
行 209: | 行 209: | ||
===== DOS分析:狄拉克锥指纹 ===== | ===== DOS分析:狄拉克锥指纹 ===== | ||
正如在介绍中所述,接近费米能级的表面态电子结构类似于一个狄拉克锥,也就是电子动量线性依赖于能量。由于表面态是在块体能隙中唯一呈现的态,我们应期许接近费米能的电子态密度为线性的。作为一个后SCF分析,很容易计算和绘出DOS: | 正如在介绍中所述,接近费米能级的表面态电子结构类似于一个狄拉克锥,也就是电子动量线性依赖于能量。由于表面态是在块体能隙中唯一呈现的态,我们应期许接近费米能的电子态密度为线性的。作为一个后SCF分析,很容易计算和绘出DOS: | ||
- | 打开**Script Generator**后添加 {{: | + | 打开**Script Generator**后添加 {{: |
{{ : | {{ : | ||
- | 打开第一个模块,指向Bi2Se3_slab.nc 文件和Object //id glD001// | + | 打开第一个模块,指向'' |
{{: | {{: | ||
行 221: | 行 221: | ||
{{ : | {{ : | ||
- | 保存脚本为dos.py 并运行。您也可以在这里下载它:[[http:// | + | 保存脚本为 |
然后在**LabFloor**中找到DOS项,并使用**2D Plot**插件来对其可视化。如下图所示,对其进行一些放大您应会看到预期的DOS线性依赖于能量。DOS在E=0.47 eV的陡增应归于最低的块体价带。 | 然后在**LabFloor**中找到DOS项,并使用**2D Plot**插件来对其可视化。如下图所示,对其进行一些放大您应会看到预期的DOS线性依赖于能量。DOS在E=0.47 eV的陡增应归于最低的块体价带。 | ||
行 238: | 行 238: | ||
==== 计算 ==== | ==== 计算 ==== | ||
- | 您将需要以下两个脚本:[[http:// | + | 您将需要以下两个脚本:[[http:// |
<WRAP center round box 60%> | <WRAP center round box 60%> | ||
行 251: | 行 251: | ||
===== 费米面和自旋方向 ===== | ===== 费米面和自旋方向 ===== | ||
- | 最后,研究在狄拉克锥邻近的Bi2Se3平板的费米面很有意思。通过在以$\Gamma$点为中心的一个稠密k网格上取样能带结构,这将很容易完成。 | + | 最后,研究在狄拉克锥邻近的< |
- | 下载并执行这个预制的脚本:[[http:// | + | 下载并执行这个预制的脚本:[[http:// |
<WRAP center round box 60%> | <WRAP center round box 60%> |