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--- atk:器件体系的建模与计算 [2015/06/07 18:15] – fermi
+++ atk:器件体系的建模与计算 [2016/12/08 11:06] – [简介] dong.dong
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 计算采用密度泛函理论（DFT）方法与非平衡态格林函数（NEGF）方法结合。更多关于计算的理论细节可以参考[[http://quantumwise.com/documents/manuals/latest/ReferenceManual|ATK的手册]]。
+<WRAP center tip 100%>
+进一步了解如何进行完整、可靠的器件计算，请参考：[[atk:使用atk研究电子输运|使用ATK研究电子输运]]。
+</WRAP>
+<WRAP center info 100%>
+=== 提示 ===
+**本教程使用特定版本的VNL-ATK创建，因此涉及的截图和脚本参数可能与您实际使用的版本略有区别，请在学习时务必注意。**
+</WRAP>
 ===== 用于输运计算的体系几何结构 =====
 ==== 器件体系的基本结构 ====
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 这个工具自动探测中央区域的左右部分的周期性，给出添加电极的多种可能性。本例中两端的锂原子间距相同（约3.11Å），周期性明显，当然二倍、三倍、四倍等周期也是存在的。
-<WRAP center round important 80%>
+<WRAP center important 100%>
 尽管看上去选择最小的电极周期是可以的，但实际上却行不通。实际体系通常需要大于7-8Å的电极长度，小于这个长度的电极可能会导致计算结果错误。关于这一点的详细解释请参考[[atk:双电极体系中如何正确设置电极|双电极体系中如何正确设置电极]]。
 </WRAP>
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 本例中应该选择三个锂原子长度（约9.3Å）作为电极。
-<WRAP center round tip 80%>
+<WRAP center tip 100%>
 用左侧工具中的“Split Device”工具可以把器件的电极部分单独拆分开来，用来进行电极部分的能带计算等。
 </WRAP>
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 {{ :atk:analysis_multiple.png?direct&500 |}}
-===== IV曲线 =====
+===== 关于器件结构的优化 =====
-==== 有限偏压下自洽计算（单电压点） ====
+进行器件计算应该使用合理结构，最“自洽”的方法是用ATK进行结构优化。结构优化时，应该对central region进行优化，为了更快完成，可以尝试：
-==== 使用脚本进行I-V关系扫描 ====
+  * 先优化得到块体电极的结构，然后在此基础上创建中间区域；之后冻结中间区域的电极原子（除了电极表面的）；
+  * 给定尽量合理的初始结构（根据直觉考虑，建模时也可以尝试用quick optimizer快速优化）；
+  * 可以先考虑用经验势或半经验进行预优化；
+  * 仔细优化时可以考虑使用Rigid冻结功能。
+当然也可以考虑用VASP优化，VASP优化后直接导入ATK创建器件结构计算输运性质，可以不必再优化。
-===== 建模与结构优化 =====
+最新的VNL-ATK 2015版提供更为合理的（界面）器件优化方案，尤其是当左右电极为两种不同的块体材料时，界面晶胞的优化问题特别重要。详情请参考：[[atk:如何弛豫器件体系的几何结构|如何弛豫器件体系的几何结构]]。
-==== 电极结构 ====
-==== 确定中央区域结构 ====
-==== 有限偏压下的优化 ====
+<WRAP center tip 100%>
+进一步了解如何进行完整、可靠的器件计算，请参考：[[atk:使用atk研究电子输运|使用ATK研究电子输运]]。
+</WRAP>

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