用户工具

站点工具

本页面的其他翻译:
  • zh

atk:dft-1:2和dft-pps密度泛函方法计算电子态

这是本文档旧的修订版!


DFT-12 和 DFT-PPS 密度泛函方法计算电子态

版本:2017.0

QuantumATK 的2017年版本为计算半导体和绝缘体的电子结构引入了两个新颖的密度泛函修正方法:DFT-1/2 和赝势投影偏移(DFT-PPS)法。本教程将介绍如何使用这些方法。

DFT-1/2 通常也被称为 LDA-1/2 或 GGA-1/2,它是一种半经验方法,用于校正扩展系统的局部和半局部交换关联密度函数中自相互作用误差,在精神上类似于 DFT + U 法。因此,可以将其视为具有大致相同目标的 TB09-Meta-GGA 法的替代方法,改进了导带能级和带隙的描述。与 TB09-MGGA 一样,DFT + 1/2 方法适用于依赖总能量和力的计算,例如几何优化。

PPS 是赝势投影偏移的缩写。本着 Zunger 和他的同事在 [WZ95] 中提出经验赝势的精神,这种方法在 SG15 赝势中引入了非局部投影的经验偏移。调整投影的偏移是为了重现半导体技术上的重要属性,例如带隙和晶格常数。PPS 法目前可直接用于元素硅和锗,但也可通过手动设置适当的投影偏移(必须首先确定这些)用于其他元素。重要的是,PPS 法确实适用于半导体材料结构的几何优化。

DFT-1/2 法

采用 PBE-1/2 的 InP 能带结构

III-V 型半导体的带隙

手动设置 DFT-1/2 参数

DFT-PPS 法

Si、SiGe、Ge 的带隙和晶格常数

手动设置 DFT-PPS 参数

参数

atk/dft-1/2和dft-pps密度泛函方法计算电子态.1591015554.txt.gz · 最后更改: 2020/06/01 20:45 由 xie.congwei

© 2014-2022 费米科技(京ICP备14023855号