atk:dft-1:2和dft-pps密度泛函方法计算电子态
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DFT-12 和 DFT-PPS 密度泛函方法计算电子态
DFT-1/2 法
采用 PBE-1/2 的 InP 能带结构
III-V 型半导体的带隙
手动设置 DFT-1/2 参数
DFT-PPS 法
Si、SiGe、Ge 的带隙和晶格常数
手动设置 DFT-PPS 参数
参数
atk/dft-1/2和dft-pps密度泛函方法计算电子态.1591015030.txt.gz · 最后更改: 2020/06/01 20:37 由 xie.congwei