atk:带电点缺陷的形成能_手动方法
这是本文档旧的修订版！
带电点缺陷的形成能（手动方法）
版本：2016.04
在本教程中，您将学习如何计算中性和带电点缺陷的形成能。具体地，我们将以 GaAs 为例，因为它的结构中包含了 As 和 Ga 空位的各种电荷态。
您可能还需要参考形成能的入门教程，该教程侧重于块体系统和中性点缺陷：Calculation of Formation Energies。
下载 & 链接：
注意
在 O-2018.6 版本中，我们引入了一个所谓的 Study Object 将本教程中描述的工作流程自动化。现在是 QuantumATK 中研究带电点缺陷的推荐方法，如果您可以访问 O-2018.06 或更新版本，可以转至相应的教程 Formation energies and transition levels of charged defects。以前版本的用户仍然可以采用本文描述的更复杂的步骤进行计算和分析。
计算形成能的过程
GaAs 的中性 As 空位
优化块体结构
用于块体和缺陷计算的更大超胞
引入一个空位
形成能
GaAs 的带电 As 空位
带电缺陷
形成能
体系大小的影响
附录
周期校正方法
参考
atk/带电点缺陷的形成能_手动方法.1571752755.txt.gz · 最后更改: 2019/10/22 21:59 由 xie.congwei