本教程专门介绍分子器件的计算和分析,研究的经典器件由一个对苯二硫酚(DTB)与两个金电极表面构成,这个结构在很多文献里都有报道。
本教程中的计算时间很长,作为入门的QuantumATK量子输运计算教程,请参考:
本教程中使用的分子导电结的建模请参见:
本教程中使用的ATK-DFT方法参见QuantumATK的使用手册。
参考这里构建结构模型,或直接下载脚本builder_device.zip,并将脚本拖动到Builder中,如下图。
这个几何结构未经优化。这对本教程中要讨论的概念没有影响,但对于实际研究中的计算,结构优化至关重要。要了解如何弛豫器件几何结构,请参见:如何弛豫器件体系的几何结构。
选中器件结构,点击 Send to 将结构发送至 Script Generator。
au-dtb-au.nc
。au_dtb_au.py
。这个脚本可以直接在这里下载:au-dtb-au.zip点击 Script Generator 右下角的 Send To 将脚本传送至 Job Manager。在 Job Manager 里点击 Run Queue 启动计算。此计算在单机上大约耗时一小时。
并行计算可以大幅度提升计算速度,要了解如何并行计算,请参考:QuantumATK并行计算。
这一节主要介绍如何分析并提取零偏压下的数据:
回到 VNL 主窗口,应该可以在 Project Files 里看到 au-dtb-au.nc
文件,并在 LabFloor 里看到文件内容:
选中透射谱数据对象,点击右侧 Transmission Analyzer 打开透射谱分析工具。左侧题为Spectrum的部分显示的是综合k点的透射强度,为能量的函数。图中的虚线为能量零点(左右点击费米能的平均值)。
图中用红色圆点标出的能量和透射概率值在图的下方给出。你可以用鼠标在曲线上移动圆点,读取想要的数据。Curves下拉菜单可以选择不同的自旋分量。要指出的是只有对于非共线自旋计算,自旋的X、Y、Z分量才有意义。
在任意的能量处(红色圆点标记),总透射是通过在k空间取样并计算透射系数得到的。右侧 Coefficients 图即画出了透射系数与倒空间矢量 $k_A$ 和 $k_B$ 的关系。例如,在能量为 -1.4 eV 的透射峰处,$\Gamma$ 点贡献却最小,如下图。
在 -3、-1.4、2.5 eV处有三个宽峰;2.4 eV附近还有一个窄峰,T(E) 超过了 1。后面我们会研究这些峰的来源。
接下来选中 DeviceDensityOfStates 数据对象,点击 2D Plot…按钮,打开PDDOS分析工具窗口。要将所有PDDOS线画在一起,点击左上的 Option 按钮,关闭 flipping。
选中所有的碳和氢原子(鼠标左键拖动方框选中,或者按住Ctrl键用鼠标单击逐一选中)
将Atom Indices拷贝下来,后面步骤会用到。
PDDOS的峰和透射谱峰的相似性提示了苯分子能级和透射谱的对应关系。
MPSH可以帮助理解在有电极存在时的分子能级的情况。MPSH是通过对全自洽的哈密顿量的分子部分进行对角化得到的。
打开 Script Generator 工具:
au-dtb-au.nc
,选择 DeviceConfiguration 数据对象(gID000);dtb_analysis.nc
;MolecularEnergySpectrum
单元,输入所有碳和氢原子的序号(37,38,39,40,41,42,43,44,45,46);要计算MPSH某个能级的本征态,可以在Windows系统的任务栏或者 VNL 的主窗口 “Windows” 菜单里重新打开 Script Generator:
molecular_eigenstate.nc
;
计算结束后,文件 molecular_eigenstate.nc
应该已经默认勾选,其中的数据对象则可以在 LabFloor 里看到。选择第一个本征态对象,点击 Viewer按钮,选择 Isosurface。在 Viewer 里,打开 Property 菜单,选择 Isosurface,进行如下设置:
要同时将结构显示在图上,只需要将 DeviceConfiguration 数据对象拖动到上面已经显示了本征态的Viewer窗口里。
注意到,所有的态都是关于苯分子平面反对称的,这说明这几个态都是苯分子的 $\pi$-轨道,由与平面垂直的碳原子 6 个 pz 轨道线性组合而成的,因此这样的 $\pi$-轨道共有 6 个。
观察不同本征态的对称性可以确定还有两个 $\pi$-轨道分别是 10 和 18。用 Editor 将之前的脚本打开, 删去两个 Eigenstate 单元,将剩下的两个计算单元的 quantum number 改为 10 和18。计算后即可得到这两个轨道,如下图(isovalue=0.16)。
$\pi$-能级共有6个电子,下方三个为占据轨道。因此我们可以确定 14 号轨道为 HOMO,15 号轨道为 LUMO。
接下来可以研究透射谱上峰位置的透射本征态,即-3、-1.5、2.4 V处。
透射本征值是通过对透射矩阵进行对角化得到的。透射本征值的个数表明了通过分子的输运通道的个数,数值的大小则是该通道的透射强度。这些透射本征值是真正的透射概率,因此应位于 [0,1] 之间。如果某一能量处有不止一个透射通道,那么这些通道的透射总和(即该能量处的总透射系数)可能大于1。
多数的透射本征值都很小,可以忽略。只有两个比较大的透射本征值最为重要。
前面两个能量处只有一个透射本征态主导,最后一个能量处则有两个主导的透射本征值。后面会讨论为什么他们加在一起没有得到总的透射谱 T(E)。
进一步,可以对前两个透射能量峰处的透射本征态进行可视化。
所得的数据对象将保存在 dtb_analysis.nc
中, 可以用 与上面分析本征态的方法一样用 Viewer 分析(见下图)。
透射本征态是复数的波函数。等值面图(isosurface)显示了绝对值,颜色则表明了相位。由于相位是周期的,因此最好使用周期的color map。
我们继续分析 2.4eV 处的透射。从前面分析可以看出,这个能量处有一个透射概率为 0.618 的本征态,这与我们从总透射系数图上读出的数值(1.45)有很大的差别。这是由于前面的总透射图给出的是k平均透射。现在我们继续计算此能量处的k分辨的透射系数。
计算结束后,可以使用 Transmission Analyzer 分析、查看结果。
此k分辨的透射散点图中在 $(k_A,k_B)=(0.0,0.38)$ 处有显著的峰,透射系数接近 1。在前面的计算中,由于k点取样密度不够,因此透射被高估了(1.45),此处k点为 21×21 时,透射约为 1.1。
上述结果说明了仔细检查k点采样点数对透射谱计算的影响的重要性。透射谱计算使用的k点数与进行自洽电子密度计算使用的k点数也没有关系。换句话说,某k点数可以收敛电子密度自洽计算,但同样的k点数可能无法给出准确的透射结果。
现在,我们来计算最强透射k点处的透射本征态,可以是 (0,-0.38) 或 (0,0.38),这两个点是时间反演对称性下等价的。
这一节,我们来计算整个器件区域的局域器件态密度并在实空间的 Z 轴上进行投影。
pldos_0.0V.nc
,脚本保存为pldos_0.0V.py
。执行脚本(计算可能耗时1小时)结束后,PLDOS 即出现在 VNL LabFloor 里。使用右侧 Projected Local Density Of States 工具即可给出 PLDOS如下图:
PLDOS 图显示了金电极部分很高的态密度(粉色),但是在中间真空区域里 DOS 几乎为零,只有在分子处有三个局域化的峰,分别位于 -3、-1.4 和 + 2.5 eV 处,这与透射谱的峰是吻合的。
这一章,我们正式计算 Au-DTB-Au 分子器件的 伏安特性(IV曲线),并分析 1.6V 偏压处的器件特性。
打开一个新的 Script Generator 窗口,进行如下操作:
IV-curve.nc
。编辑 Analysis from File 单元:
au-dtb-au.nc
,使用 gID000 从零偏压计算结果继续计算。编辑 IVCurve 单元:
脚本设置结束,将其保存为 iv-curve.py
并通过 Job Manager 或命令行执行。这个计算耗时比较久,因为对每个偏压点(本计算共 11 个偏压点)都要进行自洽计算并分析透射谱。使用 12 核并行时,计算耗时约6小时。
计算结束后,文件夹里将出现 IV-curve.nc
文件,此外还有 11 个前缀为 ivcurve
的输出文件,它们保存了每个偏压点得自洽结果。
IVCurve数据对象除了保存了IV曲线的信息外,还保存了每个偏压点的透射谱信息。
选中 IV-curve,点击右侧工具栏 IV-Plot 分析工具,I-V 曲线分析工具即弹出。
勾选 Additional plots,将显示三个新增面板,分别是微分电导(dI/dV),透射谱,谱电流。
要特别注意谱电流曲线:所有的对总电流的贡献都必须包含在能量窗口内,此时IV计算才是可靠的。如果实际情况并非如此,则需要使用更大的能量窗口重新进行IV计算。
dI/dV 在1.6V 处有峰,这是因为透射谱上的共振峰在这个偏压时开始进入偏压窗口。
要研究 偏压为 1.6 V 时分子器件的电子态性质,可以计算投影局域态密度(PLDOS),和零偏压下类似。
ivcurve_selfconsistent_configuration_1.60000V.nc
;pldos_1.6V.nc
,保存脚本为 pldos_1.6V.py
。运行脚本后,使用 Projected Local Density of States 工具显示结果,如下图。
和零偏压相比,-1.5 eV 处的共振分裂成了两个,分别位于 -0.8 和 -2 eV,这个现象在透射谱上也可以看到。此外,我们还可以注意到 -0.8 的峰接近右侧电极,-2.0 eV 处的峰接近左侧电极。这种分裂来源于分子区域的电势降落(有外加偏压时)。
现在我们来分析偏压 1.6 V 时的电压降和诱导电荷密度。首先我们计算 1.6 V 和 0 V 下的 ElectrostaticDifferencePotential 和 ElectronDifferenceDensity。
ivcurve_selfconsistent_configuration_1.60000V.nc
;voltage_drop_16V.nc
;
重复一次这个计算,但使用 0V 的自洽结果,保存文件为 voltage_drop_0V.nc
。
为使用 1.6V 和 0V 的 ElectrostaticDifferencePotential 和 ElectronDifferenceDensity 结果计算电压降,我们使用右侧的GridOperations工具。
ctrl
键同时选中 voltage_drop_16V
和 voltage_drop_0V
中的 $\delta V_E(\vec(r))$ 图标。EDP.nc
。重复上述步骤,计算电压诱导的电荷密度。
现在计算结果分别保存于 EDP.nc
和 EDD.nc
。要图示这两个结果:
EDP.nc
文件,打开 Viewer;EDD.nc
文件,也拖动到这个窗口里,使用默认的isosurface作图模式。在 Property 里详细调节图示的细节。
如果设置如上图,则得到下面的图:
将电压降进行一维作图通常比较有用:选中 EDP 中的 $f(x)$ 图标,点击右侧的 1D Projector 工具。投影方法改为 Average,点击 Add Line。
此处的一维投影作图,C轴取值范围为 0 ~ 1,对应了真实的 z 方向长度。
两个图都显示了器件区域 1.6V 的电压降。很明显,电压降主要发生在分子附近,而不是电极区域。电压降对应了量子电阻。分子区域的电压降也解释了非零偏压下的共振峰的分裂。