从晶体结构数据库下载MoS₂的*.cif文件，并通过AMSinput - File - Import Coordinates导入。删除多层，只保留1层，并将右侧窗口Periodicity从Bulk（三维周期边界）改为Slab（二维周期边界），并点击窗口底部最右侧按钮（用于显示3倍单胞的情况，从而看起来更方便，但是计算的时候，仍然只计算原来的单胞）：

保存并提交作业。

SCM - Band Structure，如果放大并将鼠标悬停在带上，可以显示能带在该K点的能量值，能带图中部的粗实线代表费米能级，该费米能级具有物理意义（能量参考点为无穷远处真空能量为0），而不是像其他软件中将费米能级平移到0。

可以看到K点带隙：1.8 eV，实验值为1.9 eV，您可以尝试其他泛函，例如MetaGGA-SCAN（使用MetaGGA，则Numerical Quality需要改为Good，Frozen Core需要改为None），带隙受泛函影响较大。本例中SCAN泛函计算得到的带隙为1.9 eV与实验更加接近。

对于半导体，费米能级附近的能带形状，可以反应电子（在导带底部）或空穴（在价带顶部）移动的难易程度。曲率的倒数称为电子或空穴的有效质量。曲率小意味着电子或空穴的有效质量大，曲率大意味着有效质量大。要计算此有效质量：

使用与以前相同的设置，增加设置：在AMSinput → Properties → Effective Mass中，勾选Effective mass框，并在下方输入需要计算哪个K点的有效质量，例如Γ点为0.0 0.0 0.0（如果是本例中的二维材料，则Γ点坐标也是二维的：0.0 0.0，一维以此类推）。当然，实际上也可以在上面计算能带的时候，直接增加有效质量的设置，同时得到能带、有效质量。

其中Include N bands above是指费米能级以上多少条能带的有效质量需要计算？如果只计算导带底则为1；Include N bands below指费米能级以下多少条能带的有效质量需要计算，如果只计算价带顶，则为1。

运行计算。结果将在输出（.out 文件）中可见：

E F F E C T I V E   M A S S

  
 Fermi energy                   -0.205846 Hartree     -5.60134 eV
 
 k-coordinates                     0.000      0.000
 fractional coords                 0.000      0.000
 
       Curvature for band index:              9
       Energy wrt fermi level:        -0.033232 Hartree     -0.90429 eV
       Energy:                        -0.239078 Hartree     -6.50563 eV
       ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
       Step size:                      0.001000                                            0.002000
       ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
       eigenvalues of band curvature   -0.27061    -0.27061                                -0.27062    -0.27061
       effective mass (m0):            -3.69536    -3.69538                                -3.69521    -3.69529
       eigenvectors:
                     eigenvector # 1   -0.999933     0.011584                              -0.999989     0.004592
                     eigenvector # 2   -0.011584    -0.999933                              -0.004592    -0.999989
       ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
 
       Curvature for band index:             10
       Energy wrt fermi level:         0.076580 Hartree      2.08386 eV
       Energy:                        -0.129265 Hartree     -3.51749 eV
       ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
       Step size:                      0.001000                                            0.002000
       ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
       eigenvalues of band curvature   -1.39777    -1.24498                                -1.35939    -1.32142
       effective mass (m0):            -0.71542    -0.80323                                -0.73562    -0.75676
       eigenvectors:
                     eigenvector # 1   -0.990798    -0.135349                              -0.990650    -0.136426
                     eigenvector # 2    0.135349    -0.990798                               0.136426    -0.990650
       ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

可以看到在Γ点，价带顶：effective mass (m0):-3.69536、-3.69538，有效质量实际是一个椭圆，此处长轴和短轴一样，因此可以认为有效质量为-3.70 a.u.。类似导带底有效质量为短轴-0.71542，长轴-0.80323的椭圆。三维体系则为椭球，存在三个轴，即沿着三个不同方向，有效质量是不一样的。

在能带计算参数的基础上，增加参数设置：

保存并提交作业。

SCM - Band Structure：

用户可以通过多次尝试不同的外加电场，观察对能带、带隙的影响，从而找到在何种电场强度下，带隙变为0，成为导体。

施加电场后可以分析电荷。在菜单栏中选择SCM → View → Add → Isosurface:Colored → 窗帘底部Select Field选择Deformation Fitting Density，右键单击选择原子并选择Atom info → CM5 Charges以显示电荷：

K. Mak, C. Lee, J. Hone, J. Shan, TF Heinz Atomically Thin MoS2: A New Direct-Gap Semiconductor , Physical Review Letters 105, 136805 (2010)