涉及如下几点:
单重态三重态能量差ΔEST=ES1−ET1足够小,对RISC过程非常关键。实际上kRISC对ΔEST非常敏感,因此必须非常精确地计算该差值。对激发态电子结构的精确描述,及其微小的能量差,在实际的计算研究中具有很大的挑战性。
由于TADF染料分子通常由数百个原子组成,因此TDDFT往往是唯一可行且精度足够的方法。为了进行这样的计算,需要选择合适的交换相关泛函。基于标准DFT的TDDFT受到“自相互作用”问题的困扰,而通常在OLED发光分子中的激发,通常涉及“电荷转移”,这种情况下,自相互作用效应会在激发态的能量和电子结构中产生虚影,导致更严重的误差。杂化泛函改善了自相互作用误差,但激发能以及电子耦合参数对引入的精确交换的比例非常敏感。
在RSH泛函中,精确交换的“量”随着电子-电子距离的增加而增加,许多RSH泛函能够有效地恢复Khon-Sham有效势的正确的长程渐近行为,从而得到更精确的激发能。对TADF而言,比较成功的泛函包括:RSH(Range-Seperated Hybrid)泛函,如LCY-PBE、CAMY-B3LYP,或者色散修正杂化泛函PBE0-D3(BJ)。参考文献:
RSH泛函可以通过对γ参数进行调制,例如令HOMO能量与第一电离能之间的差异最小化,以进一步改善该泛函。
得到最优γ值后,使用该γ值的RSH泛函进行后续的DFT计算。这里仅以4CzIPN为例演示计算过程(分子结构下载,请点击):
本文使用LCY-PBE泛函,其中4CzIPN最优化γ值为0.22,因此下面所有对4CzIPN的计算,都沿用该泛函与γ值。为了正确地模拟4CzIPN的TADF过程,需要对S0、S1和T1三个电子态的系统几何结构进行优化。
分别得到优化后的S0、S1、T1几何结构(可以在SCM → Movie中看到结构的变化动画,播放到最后一帧,File → Save Geometry即可保存该分子结构为*.xyz文件)下载:
优化结束后,logfile尾部可以看到对应的能量。其中基态优化的能量是该logfile中显示的Bond Energy。激发态优化的logfile结果中,可以看到对应的Bond energy(该分子结构对应的基态能量),以及对应的激发态的能量(基态能量+激发能=激发态的能量),例如:
可以得到:
由于使用了不同的电子结构描述方式,原文献得到的ΔEST=0.01 eV。而实验值为0.1 eV。我们得到的计算结果与实验更接近,因此本文使用我们自己的定义方式。
激发态计算结果中,基于跃迁密度矩阵,通过Plasser and Lischka的定义,得到了电荷转移描述符:
上图中是T1态的结果,其中电荷转移特征为89.69%,电子-空穴平均距离为4.7 Å,而S1态增大为94%,激发电子与空穴平均距离为5 Å。注意,这种高电荷转移描述符、电子-空穴远距离,是典型OLED发光材料设计原则的直接结果,能够良好地分离的电子供体和受体基团。
实际上这样的激发态,交换相关能也较小,从而导致ΔEST也偏小。
这里计算的是分子从S0态,吸收光子后,垂直跃迁到S1,所谓“垂直”是指分子的电子态虽然跃迁到S1了,但分子的结构还没有来得及调整到S1态的最优结构(也就是上面优化得到的S1的几何结构)。此时分子结构,跃迁前后,都是S0的最优结构。
打开ADF input,File → Import Coordinates…导入前面优化得到的S0的分子结构。
保存并提交任务。计算结束后,SCM → Output → Response Properties → → All Spin-Orbit Coupling Excitation Energies:
其中:
如上所述,在非相对论性框架内,S态与T态之间的跃迁是严格禁阻的。仅当存在自旋轨道耦合(SOC)效应时,磷光或系间窜跃才有可能发生。与其他相互作用相比,自旋轨道耦合通常很小,因此可以看作是自旋轨道耦合算符\(\hat{H}_{\mathrm{SOC}}\)对的系统电子结构的微扰。
这里,我们使用通过费米黄金规则表述的逆向系间窜跃速率:
\[k_{\mathrm{RISC}} = \frac{2\pi}{\hbar}\left|V_{\mathrm{SOC}}\right|^{2}\times\rho_{\mathrm{FCWD}}\]
可以看到,其中\(k_{\mathrm{RISC}}\)正比于\(|V_{\mathrm{SOC}}|^{2}\)。这里我们需要计算T1跃迁到S1,其中T1有三个分态,因此\(|V_{\mathrm{SOC}}|^{2}\)是三个分态与S1的旋轨耦合矩阵元的均值:
\[\left|V_{\mathrm{SOC}}\right|^{2} = \frac{1}{3}\left|\left\langle S_{\mathrm{1}}\left|\hat{H}_{\mathrm{SOC}}\right|T_{\mathrm{1}}\right\rangle\right|^{2} = \frac{1}{3}\!\!\!\sum\limits_{\ J=-1,0,1}\!\!\!\left\langle S_{\mathrm{1}}\left|\hat{H}_{\mathrm{SOC}}\right|T_{\mathrm{1}}^{J}\right\rangle\left\langle S_{\mathrm{1}}\left|\hat{H}_{\mathrm{SOC}}\right|T_{\mathrm{1}}^{J}\right\rangle^{*}\]
\(|V_{\mathrm{SOC}}|^{2}\)对逆向系间窜跃速率影响很大,因此开发SOC更大的TADF新材料,是OLED研究非常重要的一个方面。
影响\(k_{\mathrm{RISC}}\)的另一个重要因素是 \(\rho_{\mathrm{FCWD}}\)即Frank-Condon权重态密度,具体计算参考下文。
由于T1→S1逆向系间窜跃发生的时间非常短,因此分子的结构实际上还来不及改变,在这个过程中,可以认为维持着T1的分子结构,因此\(|V_{\mathrm{SOC}}|^{2}\)的计算是基于前面优化T1态得到的分子构型。
参数设置如下:
计算结束后,SCM → Output → Response Properties → Spin-orbit couplings:
可以看到\(|\langle S_{\mathrm{1}}|\hat{H}_{\mathrm{SOC}}|T_{\mathrm{1}}\rangle|\)= 0.4 cm-1,因此\(|V_{\mathrm{SOC}}|^{2} =\) 8.2\(\cdot\)10-10 eV2(单位换算参考:能量的单位)
Franck-Condon原理然后指出,T1/S1跃迁需要两个电子状态的原子核的波函数之间的显著重叠:
作为半经典Marcus理论的扩展,Marcus-Levich-Jortner理论中:
\[\rho_{\mathrm{FCWD}}^{\mathrm{MLJT}} = \frac{1}{\sqrt{4 \pi \lambda_{\mathrm{M}} k_{\mathrm{B}} T}} \sum\limits_{n = 0}^{\infty}\exp\left(-S_{eff}\right)\frac{S_{eff}^{n}}{n!} \exp\!\left(\!-\frac{\left(\Delta E_{\mathrm{ST}} + n\hbar\omega_{eff} + \lambda_{\mathrm{M}}\right)^2}{4 \lambda_{\mathrm{M}} k_{\mathrm{B}} T} \right)\]
其中\(S_{eff}\)表示该有效模的Huang-Rhys因子,它是衡量电声耦合的强度的一个量,\(S_{eff}\)与\(ω_{eff}\)通过每个高频简正模对应的Huang-Rhys因子与频率得到:
\[S_{eff} = \sum\limits_{i}S_{i} \qquad \omega_{eff} = \sum_{i}\frac{\omega_{i}S_{i}}{S_{eff}}\]
其中一般要求ωi > 1000 cm-1
实际上也可以用ADF模块也可以进行激发态频率、FCF的计算,从而得到Huang-Rhys因子。ADF模块进行激发态结构优化、频率计算的教程,参考:
在得到S$_1$和T$_1$的频率之后,FCF的计算,则与下文所示完全一样。只是对DFTB而言,FCF调用的是*.results/dftb.rkf文件,而ADF计算的情况,FCF应调用*.results/adf.rkf文件
这里为了快速计算,因此采用了计算量很小的DFTB模块。
对于不含重金属的体系,AMS中的DFTB方法可以作为一个非常高效的近似方法,较为准确地球的简正振动模式(也就是计算红外振动谱),AMS中的FCF程序可以用来计算Si因子,从而得到Seff 以及 ωeff。
注意使用DFTB程序计算激发态频率,注意要先行测试其可靠性,对不含金属有机分子一般而言,结果是比较可靠的。
DFTB计算S$_1$态的频率:
AMSinput切换到DFTB模块,并导入优化S1态得到的分子结构
类似地计算T1态的频率:
导入优化T1态得到的分子结构
计算结束后,在各自任务文件夹下,有一个*.results文件夹,其中有一个文件dftb.rkf,激发态振动谱信息包含在内。
创建一个新的文件夹(路径中注意同样不要包含中文、空格、括号),将这两个dftb.rkf文件分别拷贝到该文件夹中,并改名为S1_optFreqDFTB.rkf、T1_optFreqDFTB.rkf,然后创建文本文件,内容如下:
$AMSBIN/fcf << eor STATES T1_optFreqDFTB.rkf S1_optFreqDFTB.rkf QUANTA 0 0 TRANSLATE ROTATE eor
创建后,保存,并将*.txt后缀更改为*.run。然后在ADFjobs窗口,运行该任务。输出内容中将包含两个态的频率与电声耦合信息,因为我们关心T1→S1跃迁,因此使用第一个态的结果:
===================== F I R S T S T A T E ===================== Frequency Displacement Electron-Phonon coupling cm^-1 a0 amu^1/2 (dimensionless) ---------- ---------- ---------- 12.070318 -11.804599 2.642917 13.872303 3.368437 0.808492 19.113716 -2.303894 0.649094 ... 976.643338 -0.001580 0.003183 986.370540 -0.000023 0.000046 1041.616941 -0.001475 0.003069 1075.333767 -0.019010 0.040172 1078.281693 -0.017297 0.036603 ... 3075.114508 0.033650 0.120250 3086.236558 0.013900 0.049764 3087.310659 0.005134 0.018383 ...
Huang-Rhys因子Si即上述输出的Electron-Phonon coupling的平方,因此对ωi > 1000 cm -1的频率的电声耦合的平方求和,得到Seff= 0.837,进一步得到 ωeff = 1498 cm -1
代入\(\rho_{\mathrm{FCWD}}^{\mathrm{SCMT}}\)的表达式中。另外,
最终得到kRISC = 2.3⋅105 / s,与Samanta等人的发现一致:量子隧穿效应可忽略不计,经典方法足以处理。
以上述输出内容为例:
该数据的详细解释,参考:https://www.scm.com/doc/AMS/Utilities/FCF_module.html