表面电荷密度与σ-Profile、σ-Potential

使用AMS-ADF模块，在Input窗口正确创建模型，或通过File - Import Coordinates导入分子结构后，设置参数：Input - ADF模块 - Task设置为 COSMO-RS Compound，所有参数将自动设置完毕（结构将被优化）即可生成。

详细说明参考教程：如何准备＊.coskf文件、生成表面电荷分布图

计算完毕，将生成*.coskf文件。SCM - View - Add - COSMO:Surface Charge Density - On COSMO surface points即可显示：

同时以曲面方式显示：Add - COSMO:Surface Charge Density - On COSMO surface （reconstructed）：

调整透明度：

SCM - COSMO-RS - Compoounds - Add Compounds，文件类型选择coskf格式：

然后添加前面计算生成的coskf文件。之后选择计算纯化合物的σ-Profile：

• Number of values:σ-Profile曲线上点的个数，一般采用默认50。
• Maximum value：指定σ-Profile曲线横坐标的范围，例如默认值为0.025，则曲线横坐标范围为±0.025之间。
• 温度：计算σ-potential需要设置温度，计算σ-Profile不需要设置温度

设置完毕，点击窗口上方的Run按钮即可得到曲线与以及曲线横纵坐标具体数据：

其他计算：

• σ-Potential：与上面类似，只是增加温度设置
• 混合物的计算：分别先制备每种成分的coskf文件，然后通过Compounds - Add Compounds导入，之后操作与上面类似，另外需要注意选择有多少种组分，并设置各种组分的摩尔比（注意摩尔比之和为1），Run之后，得到各组分的曲线，以及混合物总的曲线，及其对应的横纵坐标数据，如下图