如何计算材料中的原子电荷（Partial Charge）

部分电荷（Partial Charge）是指由于与周围原子相互作用，导致原子带上非整数电荷。因此通常也叫做原子电荷（net atomic charge）。

BAND可以计算几种原子电荷包括Mulliken电荷、Hirshfeld电荷、Voronoi形变电荷、Bader电荷。本例中说明如何计算前三种电荷。

本例所示的体系，其周期性为Bulk（即三维周期边界），二维、一维周期性计算是完全类似的，关于周期性如果理解存在问题，务必参考：周期边界条件。对三维周期性材料而言，例如SiO2或许是更好的案例，不过只要模型建好了，参数设置、分析过程是完全一样的，没有丝毫的区别。

由于该体系中含有O₂，该分子是开壳层体系，自旋没有完全配对，因此勾选了Unrestricted。

注意基组的选择，一般要比ADF模块低一个级别（ADF模块基组设置，参考：BAND：如何设置基组）。因为BAND模块是Slater基＋数值基，实际精度比ADF模块更高。

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SCM - Output搜索“ Atomic Charge Analysis”，可以看到列出了Hirshfeld、Voronoi、CM5、Mulliken几种原子电荷：

 Atomic Charge Analysis

  
 Deformation charges with respect to neutral atoms.
 
   ----------------------------------------------------------
     Atom      Hirshfeld     Voronoi         CM5    Mulliken
   ----------------------------------------------------------
      1  O        -0.001      -0.009      -0.004      -0.026
      2  O         0.026       0.022       0.023       0.008
      3  O        -0.301      -0.281      -0.636      -0.589
      4  H         0.134       0.133       0.305       0.302
      5  H         0.142       0.135       0.311       0.304
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      Total:       0.000       0.000       0.000       0.000
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