文献重现：有机半导体空穴迁移的第一性原理研究（更新中）

文献：First-Principles Investigation of Anistropic Hole Mobilities in Organic Semiconductors, J. Phys. Chem. B 2009, 113, 8813–8819 这篇文献虽然较老，但是这种计算方法至今仍然广泛沿用。

体系：http://www.crystallography.net/cod/search.html搜索如下：