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atk:创建si-si3n4界面模型 [2018/10/25 20:57] – [创建界面] xie.congwei | atk:创建si-si3n4界面模型 [2019/06/29 15:50] (当前版本) – [创建Si-Si3N4界面模型] dong.dong | ||
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^ 在本教程中,您将学习如何使用 QuantumATK 构建复杂的界面。\\ 特别地,我们将考虑在硅和氮化硅之间创建界面。 | ^ 在本教程中,您将学习如何使用 QuantumATK 构建复杂的界面。\\ 特别地,我们将考虑在硅和氮化硅之间创建界面。 | ||
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+ | <WRAP center info 100%> | ||
+ | === 提示 === | ||
+ | **本教程使用特定版本的QuantumATK创建,因此涉及的截图和脚本参数可能与您实际使用的版本略有区别,请在学习时务必注意。** | ||
+ | * 不同版本的QuantumATK的py脚本可能不兼容; | ||
+ | * 较新的版本输出的数据文件默认为hdf5; | ||
+ | * 老版本的数据文件为nc文件,可以被新版本读取。 | ||
+ | </ | ||
<WRAP center important 100%> | <WRAP center important 100%> | ||
+ | |||
=== 注意 === | === 注意 === | ||
{{ : | {{ : | ||
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{{ : | {{ : | ||
+ | |||
+ | <WRAP center tip 100%> | ||
+ | **提示** | ||
+ | |||
+ | **新版本的QuantumATK包含Database模块,可以直接在线检索 Materials Project 和 Crystallography Open Database,下载结构和性质数据,无需按照以上操作去网页检索。** | ||
+ | </ | ||
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行 95: | 行 111: | ||
===== 最终调整 ===== | ===== 最终调整 ===== | ||
+ | 您还没完成。Yang 等人的重要观测是**需要移动界面上的一个 N 原子**使所有键都饱和。所讨论的原子正是用于表面位移的原子,位于 Si 三角形中间(原子数27)。 | ||
+ | * **第 7 步:**单击选中这个原子,按下键盘上的 Del 键删除它; | ||
+ | |||
+ | {{ : | ||
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+ | * **第 8 步:**通过选中三个原子(点击第一个,然后按住 Ctrl 键并点击其他两个原子;原子编号为 28,29,30),然后单击左侧工具栏中的“Centroid”插件 {{: | ||
+ | |||
+ | {{ : | ||
+ | |||
+ | 此时,您有一个在 Si(111) 和 β-Si3N4(0001) 之间的单一界面,可以继续下一部分。 | ||
===== 加倍:埋层模型 ===== | ===== 加倍:埋层模型 ===== | ||
+ | <WRAP center tip 100%> | ||
+ | === 提示 === | ||
+ | 人们还可以进一步采取该步骤创建嵌入 Si(111) 的 β-Si< | ||
+ | </ | ||
+ | * **第 9 步:**根据您想要添加多少层 Si< | ||
+ | |||
+ | - 将鼠标放在 C 向的最后一层上,并记下这些原子的 Z坐 标。在本例中(对于Si< | ||
+ | - 打开 Coordinate Tools {{: | ||
+ | - 下一步,使用 Bulk Tools {{: | ||
+ | - 在用于镜像操作的参考层,所有原子现在都加倍了。因此,作为最后的操作,使用 Selection Tools {{: | ||
+ | |||
+ | {{ : | ||
===== 界面作为器件模型 ===== | ===== 界面作为器件模型 ===== | ||
+ | 无论您选择单一的还是双倍模型,构型仍然表示为周期性结构。然而在 QuantumATK,您可以计算**电子开放系统**,相反地其他材料科学软件包中使用周期模型。这意味着您可以计算单界面(或两个)的性质,而不是不同材料的周期性重复堆叠。 | ||
+ | |||
+ | 在 QuantumAT 中执行计算的边界条件是所谓的 **device configurations**。为将当前结构转换为器件: | ||
+ | |||
+ | * 打开 Device Tools {{: | ||
+ | * 由于您添加了一些 Si(111) 层,工具可以因为存在重复的图案自动找到电极长度。 | ||
+ | * 单击“OK”以创建器件。 | ||
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+ | {{ : | ||
+ | |||
+ | <WRAP center important 100%> | ||
+ | === 注意 === | ||
+ | 最后要说明的是,虽然这里没有涉及到,但应该指出结构需要被优化,尤其是界面中的 Si 原子。如果您这样做了,将看到所有 Si 原子都形成了完全饱和的键。想要在未弛豫的结构中观察,需要把结构发送到 Viewer,将要绘制的键范围增加到 1.3 埃,您将看到所有 Si 原子都有 4 个键。 | ||
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===== 参考 ===== | ===== 参考 ===== | ||
- | 英文教程:http:// | + | |
+ | * [YWD+09] M. Yang, R. Q. Wu, W. S. Deng, L. Shen, Z. D. Sha, Y. Q. Cai, Y. P. Feng, and S. J. Wang. Electronic structures of β-si3n4(0001)/ | ||
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+ | * 英文原文:http:// | ||