这里会显示出您选择的修订版和当前版本之间的差别。
两侧同时换到之前的修订记录前一修订版 | 上一修订版两侧同时换到之后的修订记录 | ||
atk:nis2-si界面 [2016/12/08 11:09] – [NiSi2-Si界面] dong.dong | atk:nis2-si界面 [2018/03/20 18:44] – liu.jun | ||
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行 8: | 行 8: | ||
<WRAP center info 100%> | <WRAP center info 100%> | ||
=== 提示 === | === 提示 === | ||
- | **本教程使用特定版本的VNL-ATK创建,因此涉及的截图和脚本参数可能与您实际使用的版本略有区别,请在学习时务必注意。** | + | **本教程使用特定版本的QuantumATK创建,因此涉及的截图和脚本参数可能与您实际使用的版本略有区别,请在学习时务必注意。** |
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===== 构建一个NiSi2-Si器件 ===== | ===== 构建一个NiSi2-Si器件 ===== | ||
行 355: | 行 355: | ||
谱电流由以下公式给出: | 谱电流由以下公式给出: | ||
$$I(E)=e/ | $$I(E)=e/ | ||
- | 这是综合给定偏压下的数据。这将很好地处理非零偏压下,估算谱电流透射谱所需的能量范围。可以参考手册[[http:// | + | 这是综合给定偏压下的数据。这将很好地处理非零偏压下,估算谱电流透射谱所需的能量范围。可以参考手册[[http:// |
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