atk:inas_p-i-n_结
差别
这里会显示出您选择的修订版和当前版本之间的差别。
| 两侧同时换到之前的修订记录前一修订版 | 上一修订版两侧同时换到之后的修订记录 | ||
| atk:inas_p-i-n_结 [2017/03/21 17:44] – [建立FET器件结构模型] dong.dong | atk:inas_p-i-n_结 [2017/03/21 17:44] – [建立FET器件结构模型] dong.dong | ||
|---|---|---|---|
| 行 318: | 行 318: | ||
| {{ : | {{ : | ||
| - | === 设置掺杂 === | + | === 定义掺杂 === |
| 在新版的 VNL 中，掺杂变得十分容易，可以直接在图形界面上实现。 | 在新版的 VNL 中，掺杂变得十分容易，可以直接在图形界面上实现。 | ||
atk/inas_p-i-n_结.txt · 最后更改: 2018/03/20 22:06 由 liu.jun