用户工具

站点工具


atk:硅p-n结中的光电流

差别

这里会显示出您选择的修订版和当前版本之间的差别。

到此差别页面的链接

两侧同时换到之前的修订记录前一修订版
后一修订版
前一修订版
后一修订版两侧同时换到之后的修订记录
atk:硅p-n结中的光电流 [2020/02/28 23:26] – [硅 p-n 结中的光电流] xie.congweiatk:硅p-n结中的光电流 [2020/02/28 23:35] – [光电流] xie.congwei
行 5: 行 5:
 在本教程中,您将学习如何计算照明下通过器件的光电流。我们研究的对象是一个 7.6 nm 大小的硅 p-n 结,同时也展示了 QuantumATK O-2018.06 发行版中引入的 Photocurrent Analyzer。 在本教程中,您将学习如何计算照明下通过器件的光电流。我们研究的对象是一个 7.6 nm 大小的硅 p-n 结,同时也展示了 QuantumATK O-2018.06 发行版中引入的 Photocurrent Analyzer。
  
-如 <color #00a2e8>[1]</color> 和 ATK 手册中 [[https://docs.quantumatk.com/manual/Types/Photocurrent/Photocurrent.html#NL.Analysis.Photocurrent.Photocurrent|Photocurrent]] 所述,光电流是通过将电子-声子的相互作用加到器件的哈密顿量中,采用一阶微扰理论计算得到。+如 <color #00a2e8>[1]</color> 和 ATK 手册中 ''[[https://docs.quantumatk.com/manual/Types/Photocurrent/Photocurrent.html#NL.Analysis.Photocurrent.Photocurrent|Photocurrent]]'' 所述,光电流是通过将电子-声子的相互作用加到器件的哈密顿量中,采用一阶微扰理论计算得到。''''
 ===== 器件基态 ===== ===== 器件基态 =====
  
 +首先,您将执行器件的自洽计算。然后,利用基态器件哈密顿量计算和分析光电流。
  
 +您应该使用脚本 [[https://docs.quantumatk.com/_downloads/silicon_pn_junction.py|↓ silicon_pn_junction.py]] 运行基态计算—脚本中定义了掺杂的器件构型和合适的 NEGF 计算器。结果保存在 ''silicon pn_ju junction.hdf5'' 中。只需下载脚本,并利用 {{:atk:job_manager.png?direct&25|}} **Job manager** 运行它。计算完成后,您可以在 **LabFloor** 上看到 ''silicon pn_junction.hdf5'' 文件。计算采用 4 个 MPI 进程大约需要 20 分钟。
 +
 +下面还提供了构建器件构型和设置 NEGF 计算的简要说明
 ==== 硅 p-n 结 ==== ==== 硅 p-n 结 ====
  
 +7.6 nm 硅器件应包含 28 个 Si 层(76.0284 Å)和10.8612 Å 的左右电极。对于这种极短的 Si 器件,为了得到一个合理的电子结构,即在电极附近有相当平坦的带边以及从 VBM 和 CBM 到费米能级有很小的间隙,p 和 n 的掺杂水平应该都是 2*10<sup>20</sup> e/cm<sup>3</sup>
  
 +如果您需要更多关于如何建立结的信息,请参阅教程 [[https://docs.quantumatk.com/tutorials/silicon_pn_junction/silicon_pn_junction.html#silicon-p-n|Silicon p-n junction]]。
 +
 +{{ :atk:si_pn_device-20200228.png?900 |}}
 ==== NEGF 计算 ==== ==== NEGF 计算 ====
  
 +提供的脚本 [[https://docs.quantumatk.com/_downloads/silicon_pn_junction.py|↓ silicon_pn_junction.py]] 中 NEGF 计算的设置如下所示。
 +
 +Basis set://PseudoDojo// and //Low//
 +Exchange-correlation:GGA-1/2 和 PBE
 +k-point sampling:A 和 B 方向上的 density 为 //4 Å//
 +Density mesh cutof://30 Ha//
 +Default output file:''silicon_pn_junction.hdf5''
 +
 +使用 {{:atk:job_manager.png?direct&25|}} **Job manager** (点击 {{:atk:start.png?direct&20|}} 按钮开启计算)运行脚本。
  
 ===== 光电流 ===== ===== 光电流 =====
  
 +您现在可以准备光电流的计算了。打开 {{:atk:script_generator.png?direct&25|}} **Script Generator**,添加 {{:atk:analysis_from_file.png?direct&25|}} **Analysis from File** 模块。
 +
 +  * 选择文件 ''silicon_pn_junction.hdf5''
 +  * 确保勾选了 //DeviceConfiguration// 数据块。
 +
 +接下来,为计算光电流,添加 {{:atk:analysis.png?direct&25|}} Analysis {{:atk:arrow.png?direct&5|}} Photocurrent 模块。设置声子能量范围为 0-5 eV 内 31 个点,k 点取样为 9 × 9。其他所有参数保持为默认值。您也可以在此处下载脚本 [[https://docs.quantumatk.com/_downloads/photocurrent.py|↓ photocurrent.py]]。将脚本发送到 {{:atk:job_manager.png?direct&25|}} J**ob manager**,保存为 ''photocurrent.py'',点击 {{:atk:start.png?direct&20|}} 按钮,运行计算。
  
 ===== 参考 ===== ===== 参考 =====
  
atk/硅p-n结中的光电流.txt · 最后更改: 2020/02/28 23:42 由 xie.congwei

© 2014-2022 费米科技(京ICP备14023855号