atk:模拟气相沉积薄膜生长过程
差别
这里会显示出您选择的修订版和当前版本之间的差别。
| 两侧同时换到之前的修订记录前一修订版后一修订版 | 前一修订版上一修订版两侧同时换到之后的修订记录 | ||
| atk:模拟气相沉积薄膜生长过程 [2016/09/19 17:59] – [参考文献] nie.han | atk:模拟气相沉积薄膜生长过程 [2016/09/19 18:13] – [在脚本中实现沉积] nie.han | ||
|---|---|---|---|
| 行 260: | 行 260: | ||
| <WRAP center round info 100%> | <WRAP center round info 100%> | ||
| **注意** | **注意** | ||
| - | + | 在2016版ATK中，NVT Nose–Hoover方法是通过NVTNoseHoover级来实现，所需脚本如上面下载提供。但是在2015版的ATK或者更早的版本，这级命名为NVTNoseHooverChain。所需脚本请在{{ : | |
| - | In ATK version 2016, the NVT Nose–Hoover | + | |
| </ | </ | ||
| + | |||
| 行 285: | 行 285: | ||
| 这个模拟技术原则上适用于各种材料。当然，你可能会需要在脚本中做一些修改，比如调整元素。除了单原子，你也可以沉积整个分子。对于生产模拟你或许需要增加库的层数来得到一个大的沉积薄膜。你还可以对其他参数比如温度或者沉积间隔进行调整。沉积频率，也就是沉积间隔的倒数，可以通过Hertz- Knudsen方程与蒸汽压建立联系（参见[3]）: | 这个模拟技术原则上适用于各种材料。当然，你可能会需要在脚本中做一些修改，比如调整元素。除了单原子，你也可以沉积整个分子。对于生产模拟你或许需要增加库的层数来得到一个大的沉积薄膜。你还可以对其他参数比如温度或者沉积间隔进行调整。沉积频率，也就是沉积间隔的倒数，可以通过Hertz- Knudsen方程与蒸汽压建立联系（参见[3]）: | ||
| - | \frac{dN_i}{dt} = \frac{p_i A}{\sqrt{2 \pi m_i k_B T}} \, , | + | |
| - | 其中p_i表示原子/ | + | $\frac{dN_i}{dt}=\frac{p_i A}{\sqrt{2 \pi m_i k_B T}}$, |
| + | |||
| + | 其中$p_i$表示原子/ | ||
| 插入模拟中的参数，你将会发现相应的蒸汽压大约为66 bar，远远大于典型的实验的近真空状态。这方面显示了此类模拟的一个显著缺点，由于在多数情况下可达到的模拟时间不允许实际压力值的使用，致使时间分辨解析生长动力学很困难。本质上，这意味着粒子以过高的速率撞击，由于反应热从表面到受恒温器控制的块体基底传的不够快，将导致局部加热的增加。然而，所获的沉积薄膜的结构模型在多数情况下可被视为真实薄膜结构的一个很好的近似。你应当记住实行模拟的条件，并考虑这些条件是否会对沉积结构产生影响。 | 插入模拟中的参数，你将会发现相应的蒸汽压大约为66 bar，远远大于典型的实验的近真空状态。这方面显示了此类模拟的一个显著缺点，由于在多数情况下可达到的模拟时间不允许实际压力值的使用，致使时间分辨解析生长动力学很困难。本质上，这意味着粒子以过高的速率撞击，由于反应热从表面到受恒温器控制的块体基底传的不够快，将导致局部加热的增加。然而，所获的沉积薄膜的结构模型在多数情况下可被视为真实薄膜结构的一个很好的近似。你应当记住实行模拟的条件，并考虑这些条件是否会对沉积结构产生影响。 | ||
atk/模拟气相沉积薄膜生长过程.txt · 最后更改: 2018/03/20 22:15 由 liu.jun