这里会显示出您选择的修订版和当前版本之间的差别。
两侧同时换到之前的修订记录前一修订版后一修订版 | 前一修订版上一修订版两侧同时换到之后的修订记录 | ||
atk:半导体能带中的自旋轨道耦合劈裂 [2016/12/14 11:29] – [SO+MGGA带隙] nie.han | atk:半导体能带中的自旋轨道耦合劈裂 [2016/12/14 12:36] – [参考文献] nie.han | ||
---|---|---|---|
行 13: | 行 13: | ||
===== Kohn-Sham DFT中的相对论效应 ===== | ===== Kohn-Sham DFT中的相对论效应 ===== | ||
- | 标准的含时Kohn-Sham哈密顿量描述了非相对论电子在原子核设立的外场中的运动(和任何其它可能的外界含时场)。相对论效应由此被完全忽略。对于原子核外部的价电子来说这通常是一个很好的近似,但是对于重元素如金和铅,相对论对电子结构的贡献可以是至关重要的。此外,自旋轨道耦合并不能在一个严格的非相对论描述中被捕获,而它往往打破固体能带色散的简并,从而导致实验所观察到的能带劈裂。 | + | 标准的含时Kohn-Sham哈密顿量描述了非相对论电子在原子核设立的外场中的运动(和任何其它可能的外界含时场)。相对论效应由此被完全忽略。对于原子核外部的价电子来说这通常是一个很好的近似,但是对于重元素如金和铅,相对论对电子结构的贡献可以是至关重要的。此外,**自旋轨道耦合**并不能在一个严格的非相对论描述中被捕获,而它往往打破固体能带色散的简并,从而导致实验所观察到的能带劈裂。 |
电子结构软件使用赝势(正如ATK-DFT引擎所做),通常使用标量相对论赝势将相对论效应以一个合适的方法并入芯核电子。这是一个计算高效和非常可靠的近似。 | 电子结构软件使用赝势(正如ATK-DFT引擎所做),通常使用标量相对论赝势将相对论效应以一个合适的方法并入芯核电子。这是一个计算高效和非常可靠的近似。 | ||
- | 然而,包含自旋轨道耦合的计算需要全相对论赝势和对原子自旋自由度的一个非共线表象。这会很占用计算资源,但是如果要完全考虑电子基态的相对论效应就必须这样做。 | + | 然而,包含自旋轨道耦合的计算需要全相对论赝势和对原子自旋自由度的一个**非共线**表象。这会很占用计算资源,但是如果要完全考虑电子基态的相对论效应就必须这样做。 |
===== 使用ATK-DFT计算硅能带劈裂 ===== | ===== 使用ATK-DFT计算硅能带劈裂 ===== | ||
行 48: | 行 48: | ||
==== 基态的LSDA初始猜测 ==== | ==== 基态的LSDA初始猜测 ==== | ||
- | 双击第一个{{ : | + | 双击第一个{{: |
* 选择OMX赝势为4个价电子,并使用“中等”精度的基组: | * 选择OMX赝势为4个价电子,并使用“中等”精度的基组: | ||
{{ : | {{ : | ||
- | * 在Basic calculator 设置中,增加density-mesh cutoff 为150 Hartree,选择 “Polarized” 自旋,设置一个7x7x7的k点网格,并使用 lsda.nc 作为输出文件: | + | * 在Basic calculator 设置中,增加density-mesh cutoff 为150 Hartree,选择 “Polarized” 自旋,设置一个7x7x7的k点网格,并使用 |
{{ : | {{ : | ||
行 59: | 行 59: | ||
* 点击OK关闭部件。 | * 点击OK关闭部件。 | ||
- | 双击第一个{{:atk: | + | 双击第一个{{atk: |
* 设置Initial state type为 “User spin”。然后点击OK。 | * 设置Initial state type为 “User spin”。然后点击OK。 | ||
{{ : | {{ : | ||
行 69: | 行 69: | ||
</ | </ | ||
- | 编辑第一个{{: | + | 编辑第一个{{: |
{{ : | {{ : | ||
行 76: | 行 76: | ||
==== SOLDA计算 ==== | ==== SOLDA计算 ==== | ||
接下来,你将为SOLDA计算设置一个类似的工作流程,但使用LSDA基态作为SOLDA基态的初始猜测。 | 接下来,你将为SOLDA计算设置一个类似的工作流程,但使用LSDA基态作为SOLDA基态的初始猜测。 | ||
- | * 修改第二个{{: | + | * 修改第二个{{: |
<WRAP center round tip 100%> | <WRAP center round tip 100%> | ||
行 86: | 行 86: | ||
{{ : | {{ : | ||
- | * 在第二个{{: | + | * 在第二个{{: |
<WRAP center round important 100%> | <WRAP center round important 100%> | ||
行 96: | 行 96: | ||
{{ : | {{ : | ||
- | * 设置最后的{{: | + | * 设置最后的{{: |
{{ : | {{ : | ||
行 102: | 行 102: | ||
ATK-DFT脚本现已完成。也可以在此下载:[[http:// | ATK-DFT脚本现已完成。也可以在此下载:[[http:// | ||
- | 将脚本送至 Job Manager{{: | + | 将脚本送至 Job Manager{{: |
{{ : | {{ : | ||
行 125: | 行 125: | ||
• 第一眼看上去,SO+LDA和LSDA能带似乎别无二致。特别是,它们都具有一个0.5eV左右的间接带隙。 | • 第一眼看上去,SO+LDA和LSDA能带似乎别无二致。特别是,它们都具有一个0.5eV左右的间接带隙。 | ||
- | • 然而,如果你在\Gamma点最高价带附近放大(如下图),SO耦合使简并能带劈裂并在一定程度上提升了它们: | + | • 然而,如果你在$\Gamma$点最高价带附近放大(如下图),SO耦合使简并能带劈裂并在一定程度上提升了它们: |
* 最顶能带劈裂成两条能带,对应“重”和“轻”空穴。 | * 最顶能带劈裂成两条能带,对应“重”和“轻”空穴。 | ||
行 145: | 行 145: | ||
* 返回Script Generator并在脚本中删除前三个模块。 | * 返回Script Generator并在脚本中删除前三个模块。 | ||
- | * 设置交换关联泛函为“SOMGGA” 并使用so-mgga.nc 作为输出文件。 | + | * 设置交换关联泛函为“SOMGGA” 并使用'' |
- | * 确保Initial State从lsda.nc中读取基态,同时Bandstructure analysis模块保存它的输出于so-mgga.nc。 | + | * 确保Initial State从'' |
- | * 保存脚本为mgga.py。如果需要你也可以下载:mgga.py。 | + | * 保存脚本为'' |
* 运行任务-串行运行的话会花费5到10分钟完成。如果任务在4 MPI进程的并行计算中运行则会缩短为3分钟。 | * 运行任务-串行运行的话会花费5到10分钟完成。如果任务在4 MPI进程的并行计算中运行则会缩短为3分钟。 | ||
- | <WRAP center round tip 60%> | + | <WRAP center round tip 100%> |
**提示!** | **提示!** | ||
行 166: | 行 166: | ||
再次使用Compare Data plugin,你现在可以将SO+LDA能带结构和SO+MGGA的进行比较。 | 再次使用Compare Data plugin,你现在可以将SO+LDA能带结构和SO+MGGA的进行比较。 | ||
- | 在上图中很明显SO+MGGA增加了价带与导带的距离。试着使用Bandstructure Analyzer工具来测量SO+MGGA间接带隙。你会发现它约为1.3 eV。 | + | 在上图中很明显SO+MGGA增加了价带与导带的距离。试着使用**Bandstructure Analyzer**工具来测量SO+MGGA间接带隙。您会发现它约为1.3 eV。 |
下图放大了劈裂的价带。除了一个竖直的移动,它们相比SO+LDA的结果变化不大。 | 下图放大了劈裂的价带。除了一个竖直的移动,它们相比SO+LDA的结果变化不大。 | ||
+ | <WRAP center round box 60%> | ||
+ | {{ : | ||
+ | 图58 放大劈裂的价带 | ||
+ | </ | ||
===== 使用ATK-SE和SO耦合计算GaAs能带结构 ===== | ===== 使用ATK-SE和SO耦合计算GaAs能带结构 ===== | ||
+ | |||
+ | ATK-SE引擎作为一个参数化的DFT可供替代的选择,提供了对于电子结构计算的紧束缚模型。Slater-Koster(SK)模型就是一个这样的方法,并通过一个特别的SOC参数包含了自旋轨道耦合,在ATK-SE引擎中被执行。 | ||
+ | 使用Builder{{: | ||
+ | |||
+ | * 添加{{: | ||
+ | * 选择**ATK-SE: | ||
+ | |||
+ | {{ : | ||
+ | |||
+ | * 在Bandstructure模块,增加Points per segment 为101以在各个高对称点之间对能带进行精细地取样,并整理默认的Brillouin zone route 为“G, X, W, L, G, K”。 | ||
+ | |||
+ | <WRAP center round box 60%> | ||
+ | {{ : | ||
+ | 图59 GaAs的Slater-Koster自旋轨道能带结构。 | ||
+ | </ | ||
===== 参考文献 ===== | ===== 参考文献 ===== | ||
+ | [dTB09] F. Tran and P. Blaha. Accurate band gaps of semiconductors and insulators with a semilocal exchange-correlation potential. Phys. Rev. Lett., 102:226401, 2009. [[http:// | ||
+ | |||
+ | |||
+ | [dYHS89] (1, 2) Zhiyi Yu, YX Huang, and SC Shen. Spin-orbit splitting of the valence bands in silicon determined by means of high-resolution photoconductive spectroscopy. Physical Review B, 39(9):6287, 1989. | ||
+ | |||
+ | 本文翻译:王吉章 | ||