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两侧同时换到之前的修订记录前一修订版后一修订版 | 前一修订版上一修订版两侧同时换到之后的修订记录 | ||
atk:分子器件模拟 [2017/03/05 18:57] – [透射本征值和本征态] dong.dong | atk:分子器件模拟 [2018/03/20 21:51] – liu.jun | ||
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本教程专门介绍分子器件的计算和分析,研究的经典器件由一个对苯二硫酚(DTB)与两个金电极表面构成,这个结构在很多文献里都有报道。 | 本教程专门介绍分子器件的计算和分析,研究的经典器件由一个对苯二硫酚(DTB)与两个金电极表面构成,这个结构在很多文献里都有报道。 | ||
- | 本教程中的计算时间很长,作为入门的ATK量子输运计算教程,请参考: | + | 本教程中的计算时间很长,作为入门的QuantumATK量子输运计算教程,请参考: |
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- | 本教程中使用的ATK-DFT方法参见ATK的使用手册。 | + | 本教程中使用的ATK-DFT方法参见QuantumATK的使用手册。 |
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<WRAP center box 100%> | <WRAP center box 100%> | ||
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- | * 选中第一个本征值,点击 Eigenstates 按钮。稍等片刻,第一个本征值对应的本征态就计算好了,Viewer 窗口自动弹出。适当调整 isovalue 数值,得到漂亮的图。 | + | * 选中第一个本征值,点击 Eigenstates 按钮。稍等片刻,对应的本征态就计算好了,Viewer 窗口自动弹出。适当调整 isovalue 数值,得到漂亮的图。 |
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行 334: | 行 334: | ||
为使用 1.6V 和 0V 的 ElectrostaticDifferencePotential 和 ElectronDifferenceDensity 结果计算电压降,我们使用右侧的GridOperations工具。 | 为使用 1.6V 和 0V 的 ElectrostaticDifferencePotential 和 ElectronDifferenceDensity 结果计算电压降,我们使用右侧的GridOperations工具。 | ||
- | * 按住 '' | + | * 按住 '' |
* 点击打开 **GridOperations** 工具; | * 点击打开 **GridOperations** 工具; | ||
* 设置函数为 A1 - B1; | * 设置函数为 A1 - B1; | ||
行 343: | 行 343: | ||
重复上述步骤,计算电压诱导的电荷密度。 | 重复上述步骤,计算电压诱导的电荷密度。 | ||
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现在计算结果分别保存于 '' | 现在计算结果分别保存于 '' | ||
行 354: | 行 354: | ||
在 Property 里详细调节图示的细节。 | 在 Property 里详细调节图示的细节。 | ||
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如果设置如上图,则得到下面的图: | 如果设置如上图,则得到下面的图: | ||
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将电压降进行一维作图通常比较有用:选中 EDP 中的 $f(x)$ 图标,点击右侧的 **1D Projector** 工具。投影方法改为 // | 将电压降进行一维作图通常比较有用:选中 EDP 中的 $f(x)$ 图标,点击右侧的 **1D Projector** 工具。投影方法改为 // | ||
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此处的一维投影作图,C轴取值范围为 0 ~ 1,对应了真实的 z 方向长度。 | 此处的一维投影作图,C轴取值范围为 0 ~ 1,对应了真实的 z 方向长度。 |